CVD設(shè)備是一種在半導(dǎo)體表面上沉積約10nm至1000nm的薄膜的薄膜形成設(shè)備。
薄膜的原料是各種氣體，利用“熱”，“光”，“等離子體”等方法使這些氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并形成薄膜。

化學(xué)氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)很多，如成膜速度快、處理面積大、均勻沉積在不平坦表面上等。

即使在低溫下條件下也可能精密薄膜，也可以控制由于熱引起的損傷、控制層間相互擴(kuò)散。 即使對(duì)于難以熱分解的原材料也可以獲得實(shí)用的沉積速率，并且可以使用具有不同熱分解溫度的材料形成各種各樣組成比的薄膜。